个人简介：

姓名：林家勇  

派出学院：光电工程学院 

最高学历：博士

专业方向：光学工程

主要研究领域：氧化物半导体材料的制备及其在智能芯片中的应用。

主讲课程：《大学物理》、《线性代数》、《原子物理》、《半导体物理与器件》等课程。

代表性成果：

1、王钢，林家勇，一种氧化锌基透明导电极结构GaN基LED芯片及其制作方法，发明专利号（201610015568.X）

2、王钢，林家勇，一种氧化锌基透明导电极结构AlGaInP基LED芯片及其制作方法，发明专利号（2016100243363.7）

3、王钢，林家勇，一种钢化玻璃耐磨氧化铝镀膜层及其制备方法，发明专利号（201610494638.4）

4、JiayongLin,et al. "High-performance InGaN/GaN MQW LEDs with Al-doped ZnOtransparent conductive layers grown by MOCVDusing H₂O as an oxidize", Chin. Phys. B. 25, 118506, 2016.

5、JiayongLin,et al."High Performance AlGaInP-Based LEDs with Al-doped ZnO Transparent Conductive Layer Grown by MOCVD"，Journal of Applied Physics,

6、Ya Li, Yanli Pei, Ruiqin Hu,Jiayong Lin,et al. "Charge TrappingMemory Characteristics ofAmorphous-Indium–Gallium–Zinc OxideThin-Film Transistors With Defect-Engineered Alumina Dielectric", IEEE TransactionsofDevice Letter, 62,1184,2015.

7、Ruiqin Hu, Yanli Pei,Jiayong Lin,et al." Correlation between grain orientation and carrier concentration of poly-crystalline In₂O₃thin film grown by MOCVD", J Mater Sci,50, 1058, 2015.

8、R. Hu, J. Lin, et al. "Ultra-High Field-Effect Mobility Thin-Film Transistors With Metal–Organic Chemical Vapor Deposition Grown In2O3Channel Treated by Oxygen Microwave Plasma", IEEE Electron Device Letter,36, 1163, 2015.

9、林家勇，胡义华，陈仁，武华，“B_mN_n和B_mN_n^-团簇结构及其光电子能谱的研究”，《广东工业大学学报》，2007，24(1):9-13.

10、胡义华，林家勇，武华等，“复合物Mg⁺-NCSCH₃光诱导反应”，《物理化学学报》，2006，22(06)744-746.

服务学校信息：源城区雅居乐中学

帮扶愿景：

通过向源城区雅居乐中学师生尤其老师们学习，了解当前一线教育情况，一方面提升自己教学能力，同时为提升我国乡村学校治理、课程教学改革、教师队伍建设等方面提供有价值的决策建议，为推动乡村教育振兴提供决策参考。